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CD4001BF3AS2534

更新时间: 2024-11-04 12:33:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 952K
描述
CMOS NOR Gates

CD4001BF3AS2534 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:CERAMIC, DIP-14针数:14
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.7Is Samacsys:N
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-CDIP-T14
JESD-609代码:e0逻辑集成电路类型:NOR GATE
功能数量:4输入次数:2
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
传播延迟(tpd):250 ns认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):18 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

CD4001BF3AS2534 数据手册

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The CD4001B, CD4002B, and CD4025B  
types are supplied in 14-lead hermetic  
dual-in-line ceramic packages (F3A  
suffix), 14-lead dual-in-line plastic  
packages (E suffix), 14-lead small-outline  
packages (M, MT, M96, and NSR suffixes),  
and 14-lead thin shrink small-outline  
packages (PW and PWR suffixes).  
Copyright © 2003, Texas Instruments Incorporated  

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