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CD1585BC

更新时间： 2024-01-15 03:43:37

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3页	61K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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CD1585BC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	155
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CD1585BC 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

CD1585BC

(9AW)

TO-92

BCE

Marking : CD

1585

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

6.0

2.0

Collector Current Peak

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

ICP*

Tj, Tstg

5.0

0.4

-55 to +150

deg C

*Single Pulse Pw=10ms

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

IC=50uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=50uA, IC=0

VCB=20V, IE=0

VCE=20V, IB=0

VEB=5V, IC=0

VCE=2V, IC=0.1A

VCE=2V, IC=2A

0.1

500

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

250

155

Collector Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

VCE(Sat) IC=2A, IB=0.1A

Transition Frequency

VCE=2V,IC=0.5A,

f=100MHz

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

150

MHz

Collector Output Capacitance

Cob

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CD15B04D09-N69-EF	FOXCONN	获取价格	Interconnection Device
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