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CD1408-R11000

更新时间： 2024-11-11 04:11:27
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 425K
描述
CD1408-R1200~R11000 - Surface Mount Rectifier Diode

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CD1408-R11000 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.69
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDFP-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：3 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CD1408-R11000 数据手册

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Features  
■ Lead free device (RoHS compliant*)  
■ Low profile  
Applications  
■ High frequency switching power supplies  
■ Inverters  
■ Low power loss, high efficiency  
■ UL 94V-0 classification  
■ Free wheeling  
■ Polarity protection  
CD1408-R1200~R11000 – Surface Mount Rectifier Diode  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are  
challenging the semiconductor industry to develop increasingly smaller electronic  
components. Bourns offers Rectifier Diodes for rectification applications, in compact  
chip package 1408 size format (compatible with SOD87, SOD123 formats), which  
offers PCB real estate savings and are considerably smaller than most competitive  
parts. The Glass Passivated Rectifier Diodes offer a forward current of 1 A with a  
choice of repetitive peak reverse voltage of 200 V up to 1000 V.  
Tin Plated  
Connectors  
FRP Substrate  
and Epoxy  
Underfill  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard  
pick and place equipment and their flat configuration minimizes roll away.  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
CD1408-  
R1600  
Parameter  
Symbol  
Unit  
R1200  
R1400  
R1800  
R11000  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
200  
400  
600  
420  
600  
1.0  
800  
1000  
V
V
V
A
RRM  
140  
200  
280  
400  
560  
800  
700  
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
1000  
DC  
Max. Average Forward Rectified Current1  
I
(AV)  
DC Reverse Current @ Rated DC Blocking Voltage  
(@T = 25 °C)  
a
I
1.0  
µA  
µA  
R
R
DC Reverse Current @ Rated DC Blocking Voltage  
I
30.0  
(@T = 125 °C)  
a
DC Reverse Current @ Rated DC Blocking Voltage  
I
R
50.0  
µA  
(@T = 150 °C)  
a
Typical Junction Capacitance2  
C
12  
1.0  
pF  
V
J
Instantaneous Forward Voltage @ I = 1 A  
F
Maximum Reverse Recovery Time3  
V
T
F
3000  
ns  
rr  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
I
30.0  
A
FSM  
Notes:  
1 See Forward Derating Curve.  
2 Measured @ 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.  
3 Reverse recovery test condition: IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
CD1408-R1200~R11000  
Unit  
Operating Temperature Range  
TJ  
-65 to +175  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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