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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CD0.5A30
CD0.5A30 PDF预览

CD0.5A30

更新时间： 2024-09-28 21:54:35
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
SILICON DIOXIDE PASSIVATED

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CD0.5A30 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE-1
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
元件数量：1端子数量：1
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

CD0.5A30 数据手册

 浏览型号CD0.5A30的Datasheet PDF文件第2页 
• IN6677 AVAILABLE IN JANHC AND JANKC PER MIL-PRF-19500/610  
• 0.2 & 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER CHIPS  
• SILICON DIOXIDE PASSIVATED  
CD6675 thru CD6677  
and  
CD0.2A20 thru CDO.2A40  
and  
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES ,  
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW  
CD0.5A20 thru CDO.5A40  
MAXIMUM RATINGS, 0.2 AMP DEVICES  
24 MILS  
16 MILS  
Operating Temperature: -65°C to +125°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 0.2 AMP @ 75°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
MAXIMUM  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
WORKING PEAK  
REVERSE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
CAPACITANCE @  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
V
R
= 0 VOLTS  
VOLTAGE  
f =1.0 MHz  
V
RWM  
V
@ 20 mA  
V
@ 200 mA  
V
@ 630 mA  
I
@ +25°C  
I @ +100°C  
R
C
T
F
F
F
R
VOLTS  
20  
VOLTS  
0.37  
0.37  
0.37  
0.37  
0.37  
0.37  
VOLTS  
0.50  
0.50  
0.50  
0.50  
0.50  
0.50  
VOLTS  
0.70  
0.70  
0.70  
0.70  
0.70  
0.70  
µ A  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
mA  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
PICO FARADS  
CD6675  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
CD6676  
30  
CD6677  
40  
BACKSIDE IS CATHODE  
CD0.2A20  
CD0.2A30  
CD0.2A40  
20  
FIGURE 1  
30  
40  
DESIGN DATA  
METALLIZATION:  
MAXIMUM RATINGS, 0.5 AMP DEVICES  
Top: (Anode)..................... ...........Al  
Back: (Cathode)............................Au  
Operating Temperature: -65°C to +125°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
AL THICKNESS..........25,000 Å Min  
GOLD THICKNESS... ...4,000 Å Min  
CHIP THICKNESS............. ...10 Mils  
Average Rectified Forward Current: 0.5 AMP @ 75°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
MAXIMUM  
CAPACITANCE @  
= 0 VOLTS  
TOLERANCES: ALL  
Dimensions + 2 mils  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
WORKING PEAK  
REVERSE  
MAXIMUM  
FORWARD VOLTAGE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
V
R
VOLTAGE  
f =1.0 MHz  
V
RWM  
V
@ 0.1A  
V
@ 0.5A  
I
@ +25°C  
I @ +100°C  
R
C
T
F
F
R
VOLTS  
20  
VOLTS  
0.50  
VOLTS  
0.65  
µ A  
10.0  
10.0  
10.0  
mA  
1.0  
1.0  
1.0  
PICO FARADS  
CD0.5A20  
CD0.5A30  
CD0.5A40  
50  
50  
50  
30  
0.50  
0.65  
40  
0.50  
0.65  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与CD0.5A30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CD0.5A30E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, DIE-2
CD0.5A40 CDI-DIODE

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 		SILICON DIOXIDE PASSIVATED
CD0.5A40E3 MICROSEMI

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CD00191174 STMICROELECTRONICS

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 		High-density access line, ARM-based 32-bit MCU

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