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CCS15S30

更新时间: 2024-10-02 21:10:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 136K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

CCS15S30 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CST2C, 1-1W1S, 2 PINReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.4 V
JESD-30 代码:R-XBCC-N2最大非重复峰值正向电流:5 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:500 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CCS15S30 数据手册

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CCS15S30  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
CCS15S30  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) Low forward voltage: VF(1) = 0.33 V (typ.)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
CST2C  
Start of commercial production  
2013-07  
2014-04-03  
Rev.2.0  
1

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