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CBRHD-01TR13 PDF预览

CBRHD-01TR13

更新时间： 2024-11-11 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 645K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4

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CBRHD-01TR13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.28
其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CBRHD-01TR13 数据手册

 浏览型号CBRHD-01TR13的Datasheet PDF文件第2页 
CBRHD-01  
SURFACE MOUNT  
HIGH DENSITY  
0.8 AMP  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD-01 is a  
silicon full wave bridge rectifier mounted in a durable  
epoxy surface mount molded case, utilizing glass  
passivated chips.  
MARKING CODE: CBD1  
FEATURES:  
• Efficient use of board space: requires only 42mm2 of board  
space vs. 120mm2 of board space needed for industry  
standard 1.0 Amp surface mount bridge rectifier.  
• 50% higher density (Amps/mm2) than the industry standard  
1.0 Amp surface mount bridge rectifier.  
HD DIP CASE  
• This series is UL listed: file number E130224  
• Glass passivated chips for high reliability.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Peak Repetitive Reverse Voltage  
V
100  
V
V
RRM  
DC Blocking Voltage  
V
100  
R
RMS Reverse Voltage  
V
70  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =40°C) (Note1)  
I
0.5  
A
A
O
O
Average Forward Current (T =40°C) (Note 2)  
I
0.8  
30  
A
A
Peak Forward Surge Current  
I
A
FSM  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 3)  
-65 to +150  
85  
°C  
°C/W  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V = 100V  
TYP  
MAX  
5.0  
UNITS  
µA  
I
I
R
R
V = 100V, T =125°C  
500  
1.0  
µA  
R
R
A
V
I =400mA  
V
F
F
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
9.0  
pF  
J
R
Notes: (1) Mounted on Glass-Epoxy PCB.  
(2) Mounted on Ceramic PCB.  
(3) Mounted on PCB with 0.5” x 0.5” copper pads.  
R2 (4-January 2010)  
12

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