是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSSOP | 包装说明: | TSSOP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 1.33 | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.4 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | SERIAL |
编程电压: | 5 V | 座面最大高度: | 1.2 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.000005 A |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | 写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CAV24C64WE-GT3 | ONSEMI |
完全替代 |
EEPROM Serial 64-Kb I2C |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAV24M01 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 1-Mb I2C | |
CAV24M01_18 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 1-Mb I2C | |
CAV24M01WE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 1-Mb I2C | |
CAV24M01YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 1-Mb I2C | |
CAV25010 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25010_18 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI | |
CAV25010VE-G | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25010VE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25010YE-G | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25010YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM |