是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.57 | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | AEC-Q100 | 座面最大高度: | 1.75 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
24AA128T-I/MNY | MICROCHIP |
功能相似 |
128K I2C⢠CMOS Serial EEPROM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAV24C256YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
256-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32 | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32_16 | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32_18 | ONSEMI |
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EEPROM Serial 32-Kb I2C | |
CAV24C32C4CTR | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32C5ATR | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32C5CTR | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32WE-GT3 | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM | |
CAV24C32YE-G | ONSEMI |
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I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM | |
CAV24C32YE-GT3 | ONSEMI |
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32-Kb I2C CMOS Serial EEPROM |