是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOIC-8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.61 |
其他特性: | IT ALSO OPERATES AT 0.5MHZ AT 2.5MIN | 备用内存宽度: | 8 |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM CARD |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 128 words | 字数代码: | 128 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128X16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3/5 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT93C56VI-GT2REVE | CATALYST |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, MS-012, SOIC-8 | |
CAT93C56VI-GT3 | ONSEMI |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56VI-GT3 | CATALYST |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56VI-GT3E | CATALYST |
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2K-Bit Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C56VI-GT3E | ONSEMI |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56VI-GT3REVE | CATALYST |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, MS-012, SOIC-8 | |
CAT93C56VI-REVE | CATALYST |
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128X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, MS-012, SOIC-8 | |
CAT93C56VIT2 | ONSEMI |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56VI-T2 | CATALYST |
获取价格 |
2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56VIT2E | ONSEMI |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM |