是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.1 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | 1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION | 备用内存宽度: | 8 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.25 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 9.59 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 128 words |
字数代码: | 128 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128X16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 7.62 mm | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT93C56LE-1.8 | CATALYST |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-8 | |
CAT93C56LE-1.8-GE | CATALYST |
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EEPROM, | |
CAT93C56LE-1.8-GE | ONSEMI |
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IC,SERIAL EEPROM,128X16/256X8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC | |
CAT93C56LE-1.8-GREVE | CATALYST |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-001, DIP-8 | |
CAT93C56LE-1.8-GT2E | ONSEMI |
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2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56LE-1.8-GT2E | CATALYST |
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2K-Bit Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C56LE-1.8-GT3E | ONSEMI |
获取价格 |
2-Kb Microwire Serial CMOS EEPROM | |
CAT93C56LE-1.8-GT3E | CATALYST |
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2K-Bit Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C56LE-1.8REVE | CATALYST |
获取价格 |
暂无描述 | |
CAT93C56LE-1.8T2E | CATALYST |
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2K-Bit Microwire Serial EEPROM |