是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOIC-8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.35 |
备用内存宽度: | 8 | 最大时钟频率 (fCLK): | 2 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 5.255 mm | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 64 words |
字数代码: | 64 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64X16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.03 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.001 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 5.23 mm | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT93C46XI-GT2 | ONSEMI |
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1 kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-GT2 | CATALYST |
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1-Kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-GT3 | ONSEMI |
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1 kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-GT3 | CATALYST |
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1-Kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-REVL | CATALYST |
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EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, GREEN, EIAJ, SOIC-8 | |
CAT93C46XIT2 | ONSEMI |
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1 Kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XIT2 | CATALYST |
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1-Kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-T2 | ONSEMI |
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1 kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XIT3 | CATALYST |
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1-Kb Microwire Serial EEPROM | |
CAT93C46XI-T3 | ONSEMI |
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1 kb Microwire Serial EEPROM |