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CAT34C02HU3I-GT4A PDF预览

CAT34C02HU3I-GT4A

更新时间： 2024-11-19 06:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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15页 164K
描述
2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect

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CAT34C02HU3I-GT4A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SON包装说明：HVSON, SOLCC8,.11,20
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：100 YEAR DATA RETENTION最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：100耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：256 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：8字数：16 words
字数代码：16工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16X16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC8,.11,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.55 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.002 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

CAT34C02HU3I-GT4A 数据手册

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CAT34C02  
2 kb I2C EEPROM for DDR2  
DIMM Serial Presence  
Detect  
Description  
http://onsemi.com  
The CAT34C02 is a 2 kb Serial CMOS EEPROM, internally  
organized as 16 pages of 16 bytes each, for a total of 256 bytes of 8 bits  
each.  
It features a 16−byte page write buffer and supports both the  
2
Standard (100 kHz) as well as Fast (400 kHz) I C protocol.  
Write operations can be inhibited by taking the WP pin High (this  
protects the entire memory) or by setting an internal Write Protect flag  
via Software command (this protects the lower half of the memory).  
In addition to Permanent Software Write Protection, the  
CAT34C02 also features JEDEC compatible Reversible Software  
Write Protection for DDR2 Serial Presence Detect (SPD)  
applications operating over the 1.7 V to 3.6 V supply voltage range.  
The CAT34C02 is fully backwards compatible with earlier  
DDR1 SPD applications operating over the 1.7 V to 5.5 V supply  
voltage range.  
TSSOP−8  
Y SUFFIX  
CASE 948AL  
TDFN−8  
VP2 SUFFIX  
CASE 511AK  
UDFN−8  
HU3 SUFFIX  
CASE 517AX  
UDFN−8 EP  
HU4 SUFFIX  
CASE 517AZ  
Features  
2
• Supports Standard and Fast I C Protocol  
• 1.7 V to 5.5 V Supply Voltage Range  
• 16−Byte Page Write Buffer  
PIN CONFIGURATION  
1
A
A
A
V
0
1
2
CC  
WP  
• Hardware Write Protection for Entire Memory  
• Software Write Protection for Lower 128 Bytes  
SCL  
SDA  
2
• Schmitt Triggers and Noise Suppression Filters on I C Bus Inputs  
V
SS  
(SCL and SDA)  
TSSOP (Y), TDFN (VP2),  
UDFN (HU3), UDFN (HU4)  
• Low power CMOS Technology  
• 1,000,000 Program/Erase Cycles  
• 100 Year Data Retention  
• Industrial Temperature Range  
For the location of Pin 1, please consult the  
corresponding package drawing.  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS  
PIN FUNCTION  
Compliant*  
V
Pin Name  
Function  
Device Address Input  
Serial Data Input/Output  
Serial Clock Input  
Write Protect Input  
Power Supply  
CC  
A , A , A  
0
1
2
SDA  
SCL  
SCL  
WP  
CAT34C02  
SDA  
A , A , A  
2
1
0
V
CC  
WP  
V
SS  
Ground  
V
SS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 14 of this data sheet.  
Figure 1. Functional Symbol  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 14  
CAT34C02/D  
1234567...15

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