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CAT33C704PA

更新时间： 2024-09-21 20:06:27

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CATALYST		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	502K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8

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CAT33C704PA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	其他特性：	100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION; CONFIGURABLE AS 256 X 16
备用内存宽度：	8	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.36 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	串行总线类型：	3-WIRE
最大待机电流：	0.00025 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	12 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT33C704PATE13	CATALYST	获取价格	4K-Bit Secure Access Serial E2PROM
CAT33C704PI	CATALYST	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
CAT33C704PITE13	CATALYST	获取价格	4K-Bit Secure Access Serial E2PROM
CAT33C704PTE13	CATALYST	获取价格	4K-Bit Secure Access Serial E2PROM
CAT33C804A	CATALYST	获取价格	4K-Bit Secure Access Serial E2PROM
CAT33C804AC	CATALYST	获取价格	Memory IC
CAT33C804ACC	CATALYST	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS
CAT33C804ACI	ETC	获取价格	Serial EEPROM
CAT33C804AD	CATALYST	获取价格	Memory IC
CAT33C804ADI	CATALYST	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, CDIP8