是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.03 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 350 ns | 其他特性: | 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION |
数据保留时间-最小值: | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.9 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28LV64KI-35TE13 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, EIAJ, SOIC-28 | |
CAT28LV64KI-35TE13 | ONSEMI |
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IC 8K X 8 EEPROM 3V, 350 ns, PDSO28, 0.300 INCH, EIAJ, SOIC-28, Programmable ROM | |
CAT28LV64KI-35TE7 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, EIAJ, SOIC-28 | |
CAT28LV64L-15T | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64L-15T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64L-20T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64L-20T | ONSEMI |
获取价格 |
64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64L-25T | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64L-25T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64LA15 | ONSEMI |
获取价格 |
64 kb CMOS Parallel EEPROM |