是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.03 | 最长访问时间: | 300 ns |
其他特性: | 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION | 数据保留时间-最小值: | 100 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28LV64JI-30TE13 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 3V, 300ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 | |
CAT28LV64JI-30TE7 | ONSEMI |
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IC 8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28, Programmable ROM | |
CAT28LV64JI-35 | CATALYST |
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8KX8 EEPROM 3V, 350ns, PDSO28, SOIC-28 | |
CAT28LV64JI-35T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM | |
CAT28LV64JI-35TE13 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 | |
CAT28LV64K-15T | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64K-15T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64K-20T | ONSEMI |
获取价格 |
64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64K-20T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64K-25T | ONSEMI |
获取价格 |
64 kb CMOS Parallel EEPROM |