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CAT28F102NA-70T

更新时间： 2024-11-01 05:08:43

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CATALYST		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	162K
描述
1 Megabit CMOS Flash Memory

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CAT28F102NA-70T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	10 YEAR DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	S-PQCC-J44
长度：	16.5862 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	类型：	NOR TYPE
宽度：	16.5862 mm	Base Number Matches：	1

CAT28F102NA-70T 数据手册

CAT28F102

Licensed Intel

second source

1 Megabit CMOS Flash Memory

FEATURES

■ 64K x 16 Word Organization

■ Fast Read Access Time: 45/55/70/90 ns

■ Stop Timer for Program/Erase

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100 µA max (CMOS levels)

■ On-Chip Address and Data Latches

■ JEDEC Standard Pinouts:

–40-pin DIP

■ High Speed Programming:

–10 µs per byte

–44-pin PLCC

–40-pin TSOP

–1 Sec Typ Chip Program

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 10 Year Data Retention

■ Electronic Signature

■ 0.5 Seconds Typical Chip-Erase

■ 12.0V ± 5% Programming and Erase Voltage

■ Commercial,Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

two write cycle scheme. Address and Data are latched

to free the I/O bus and address bus during the write

operation.

TheCAT28F102isahighspeed64Kx16-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F102 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 40-pin DIP, 44-pin PLCC, or 40-pin TSOP

packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROMandE²PROMdevices.ProgrammingandErase

are performed through an operation and verify algo-

rithm. The instructions are input via the I/O bus, using a

I/O –I/O

BLOCK DIAGRAM

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

1,048,576-BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

28F101-1

Doc. No. 25038-0A 2/98 F-1

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28F102NA-90	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NA-90T	CATALYST	获取价格	1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F102NI-10	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NI-10T	CATALYST	获取价格	Flash, 64KX16, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
CAT28F102NI-12	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NI-12T	CATALYST	获取价格	Flash, 64KX16, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
CAT28F102NI-12TE7	CATALYST	获取价格	Flash, 64KX16, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
CAT28F102NI-15	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NI-15TE13	CATALYST	获取价格	Flash, 64KX16, 150ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
CAT28F102NI-45	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM

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