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CAT28F102NA-10T

更新时间： 2024-11-01 20:22:35

品牌	Logo	应用领域
CATALYST		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	107K
描述
Flash, 64KX16, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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CAT28F102NA-10T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	QCCJ, LDCC44,.7SQ
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	S-PQCC-J44	JESD-609代码：	e0
长度：	16.5862 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC44,.7SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	16.5862 mm
Base Number Matches：	1

CAT28F102NA-10T 数据手册

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CAT28F102

Licensed Intel

second source

1 Megabit CMOS Flash Memory

FEATURES

■ 64K x 16 Word Organization

■ Fast Read Access Time: 100/120 ns

■ Stop Timer for Program/Erase

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100 µA max (CMOS levels)

■ On-Chip Address and Data Latches

■ JEDEC Standard Pinouts:

–40-pin DIP

■ High Speed Programming:

–10 µs per byte

–44-pin PLCC

–40-pin TSOP

–1 Sec Typ Chip Program

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 10 Year Data Retention

■ Electronic Signature

■ 0.5 Seconds Typical Chip-Erase

■ 12.0V ± 5% Programming and Erase Voltage

■ Commercial,Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

write cycle scheme. Address and Data are latched to

free the I/O bus and address bus during the write

operation.

TheCAT28F102isahighspeed64Kx16-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F102 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 40-pin DIP, 44-pin PLCC, or 40-pin TSOP

packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROMandE²PROMdevices.ProgrammingandErase

areperformedthroughanoperationandverifyalgorithm.

The instructions are input via the I/O bus, using a two

I/O –I/O

BLOCK DIAGRAM

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

1,048,576-BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

Doc. No. 1014, Rev. A

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...15

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与CAT28F102NA-10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28F102NA-12T	CATALYST	获取价格	Flash, 64KX16, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
CAT28F102NA-45	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NA-45T	CATALYST	获取价格	1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F102NA-55	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NA-55T	CATALYST	获取价格	1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F102NA-70	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NA-70T	CATALYST	获取价格	1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F102NA-90	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
CAT28F102NA-90T	CATALYST	获取价格	1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F102NI-10	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM

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