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Datasheet > 存储 > 闪存> CAT28F001GA-90T
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CAT28F001GA-90T

更新时间： 2024-10-30 13:06:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 113K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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CAT28F001GA-90T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e3
长度：13.97 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：105 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.55 mm部门规模：8K,4K,112K
最大待机电流：0.000001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

CAT28F001GA-90T 数据手册

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CAT28F001  
1 Megabit CMOS Boot Block  
Flash Memory  
Licensed Intel  
second source  
FEATURES  
■ Deep Powerdown Mode  
— 0.05 µA ICC Typical  
■ Fast Read Access Time: 90/120 ns  
■ On-Chip Address and Data Latches  
■ Blocked Architecture  
— 0.8 µA IPP Typical  
■ Hardware Data Protection  
■ Electronic Signature  
— One 8 KB Boot Block w/ Lock Out  
• Top or Bottom Locations  
■ 100,000 Program/Erase Cycles and 10 Year  
Data Retention  
— Two 4 KB Parameter Blocks  
— One 112 KB Main Block  
■ JEDEC Standard Pinouts:  
— 32 pin DIP  
■ Low Power CMOS Operation  
■ 12.0V ± 5% Programming and Erase Voltage  
■ Automated Program & Erase Algorithms  
■ High Speed Programming  
— 32 pin PLCC  
— 32 pin TSOP  
■ Reset/Deep Power Down Mode  
■ "Green" Package Options Available  
■ Commercial, Industrial and Automotive  
Temperature Ranges  
DESCRIPTION  
The CAT28F001 is a high speed 128K X 8 bit electrically  
erasable and reprogrammable Flash memory ideally  
suited for applications requiring in-system or after sale  
code updates.  
The CAT28F001 is designed with a signature mode  
whichallowstheusertoidentifytheICmanufacturerand  
device type. The CAT28F001 is also designed with on-  
ChipAddressLatches, DataLatches, Programmingand  
Erase Algorithms.  
The CAT28F001 has a blocked architecture with one 8  
KB Boot Block, two 4 KB Parameter Blocks and one 112  
KB Main Block. The Boot Block section can be at the top  
orbottomofthememorymapandincludesareprogram-  
ming write lock out feature to guarantee data integrity. It  
is designed to contain secure code which will bring up  
the system minimally and download code to other loca-  
tions of CAT28F001.  
The CAT28F001 is manufactured using Catalyst’s ad-  
vanced CMOS floating gate technology. It is designed  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retention of 10 years. The device is available in JEDEC  
approved 32-pin plastic DIP, PLCC or TSOP packages.  
BLOCK DIAGRAM  
I/O –I/O  
0
7
ADDRESS  
COUNTER  
I/O BUFFERS  
WRITE STATE  
MACHINE  
ERASE VOLTAGE  
SWITCH  
STATUS  
RP  
REGISTER  
WE  
DATA  
LATCH  
SENSE  
AMP  
COMMAND  
REGISTER  
PROGRAM VOLTAGE  
SWITCH  
CE, OE LOGIC  
CE  
OE  
Y-GATING  
Y-DECODER  
A –A  
0
16  
8K-BYTE BOOT BLOCK  
4K-BYTE PARAMETER BLOCK  
4K-BYTE PARAMETER BLOCK  
112K-BYTE MAIN BLOCK  
X-DECODER  
VOLTAGE VERIFY  
SWITCH  
© 2008 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1078, Rev. K  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28F001GA-90TT CATALYST

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