是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.16 |
最长访问时间: | 120 ns | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
部门规模: | 8K,4K,112K | 最大待机电流: | 0.000001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28F001GA-90BT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90BT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90T | CATALYST |
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Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28F001GA-90T | ONSEMI |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28F001GA-90TT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90TT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GI-12BT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GI-12BT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GI-12TE7 | CATALYST |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28F001GI-12TT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory |