是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.55 mm | 部门规模: | 8K,4K,112K |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28F001GA-12TT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-12TT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90BT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90BT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90T | CATALYST |
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Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28F001GA-90T | ONSEMI |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28F001GA-90TT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GA-90TT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GI-12BT | ONSEMI |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory | |
CAT28F001GI-12BT | CATALYST |
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1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory |