Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C65BGA-90T

CAT28C65BGA-90T

更新时间： 2024-02-01 02:48:04

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CATALYST		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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13页	418K
描述
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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CAT28C65BGA-90T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.965 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	32 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

CAT28C65BGA-90T 数据手册

CAT28C65B

64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

I Fast read access times:

I Commercial, industrial and automotive

– 90/120/150ns

temperature ranges

I Low power CMOS dissipation:

– Active: 25 mA max.

I Automatic page write operation:

– 1 to 32 bytes in 5ms

– Standby: 100 µA max.

– Page load timer

I Simple write operation:

I End of write detection:

– Toggle bit

– On-chip address and data latches

– Self-timed write cycle with auto-clear

– DATA polling

– RDY/BUSY

I Fast write cycle time:

– 5ms max

I 100,000 program/erase cycles

I 100 year data retention

I CMOS and TTL compatible I/O

I Hardware and software write protection

DESCRIPTION

The CAT28C65B is a fast, low power, 5V-only CMOS

parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling, a RDY/BUSY pin and Toggle status bits

signal the start and end of the self-timed write cycle.

Additionally, the CAT28C65B features hardware and

software write protection.

The CAT28C65B is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-

approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP, 28-pin SOIC or 32-

pin PLCC packages.

BLOCK DIAGRAM

8,192 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

32 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING,

TOGGLE BIT &

TIMER

RDY/BUSY LOGIC

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

RDY/BUSY

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. 1009, Rev. E

12 3 4 5 6 7...13

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与CAT28C65BGA-90T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CAT28C65BGI-12	CATALYST	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	获取价格
CAT28C65BGI-12T	ONSEMI	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM	获取价格
CAT28C65BGI-12T	CATALYST	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM	获取价格
CAT28C65BGI-12TE13	CATALYST	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格
CAT28C65BGI-12TE13	ONSEMI	8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格
CAT28C65BGI-12TE7	CATALYST	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格

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