是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.58 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.965 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 32 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 11.425 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C65BGA-15T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGA-15T | ONSEMI |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGA-90T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGA-90T | ONSEMI |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGI-12 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C65BGI-12T | ONSEMI |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGI-12T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C65BGI-12TE13 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C65BGI-12TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C65BGI-12TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |