是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.04 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.703 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 32 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C64BPI-90 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C64BPI-90 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C64BPI-90T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BT-12 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP-32 | |
CAT28C64BT-12TE7 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 | |
CAT28C64BT-12TE7 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 | |
CAT28C64BT13-12 | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM | |
CAT28C64BT13-12 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28 | |
CAT28C64BT13-12T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM | |
CAT28C64BT13-12T | ONSEMI |
获取价格 |
IC 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28, Programmable ROM |