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CAT28C64BK-20TE7

更新时间： 2024-11-19 19:08:35

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管
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13页	74K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, EIAJ, SOIC-28

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CAT28C64BK-20TE7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.01
最长访问时间：	200 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	17.9 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

CAT28C64BK-20TE7 数据手册

CAT28C64B

64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Fast read access times:

■ Commercial, industrial and automotive

– 90/120/150ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

– Active: 25 mA max.

■ Automatic page write operation:

– 1 to 32 bytes in 5ms

– Standby: 100 µA max.

– Page load timer

■ Simple write operation:

■ End of write detection:

– Toggle bit

– On-chip address and data latches

– Self-timed write cycle with auto-clear

– DATA polling

■ Fast write cycle time:

■ 100,000 program/erase cycles

■ 100 year data retention

– 5ms max.

■ CMOS and TTL compatible I/O

■ Hardware and software write protection

DESCRIPTION

The CAT28C64B is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-

approved 28-pin DIP, TSOP, SOIC, or, 32-pin PLCC

package .

The CAT28C64B is a fast, low power, 5V-only CMOS

Parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and Toggle status bits signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C64B features hardware and software write

protection.

BLOCK DIAGRAM

8,192 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

32 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TIMER

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1011, Rev. I

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28C64BK-90T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BKA-12	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BKA-12	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, EIAJ, SOIC-28
CAT28C64BKA-12T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BKA-12T	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, EIAJ, SOIC-28
CAT28C64BKA-15	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BKA-15	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, EIAJ, SOIC-28
CAT28C64BKA-15T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BKA-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
CAT28C64BKA-90T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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