是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.02 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小: | 32 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 切换位: | YES |
宽度: | 8 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C64BH13A15T | ONSEMI |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BH13A-15T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BH13A-15T | ONSEMI |
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IC 8K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, TSOP-28, Pr | |
CAT28C64BH13A90T | ONSEMI |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BH13A-90T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BH13A-90T | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, TSOP-28 | |
CAT28C64BH13I12 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, TSOP-28 | |
CAT28C64BH13I-12 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, TSOP-28 | |
CAT28C64BH13I12T | ONSEMI |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BH13I-12T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |