是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.03 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 32 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C64AN-25 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64ANI-12 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64ANI-15 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64ANI-20 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64ANI-25 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64ANM-15 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32 | |
CAT28C64AP-12 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64AP-15 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64AP-20 | CATALYST |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64AP-25 | CATALYST |
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x8 EEPROM |