是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.15 | 最长访问时间: | 120 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 42.03 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C512L-12T | CATALYST |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C512L15 | ONSEMI |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C512L-15 | CATALYST |
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EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 | |
CAT28C512L-15T | CATALYST |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C512LA12 | ONSEMI |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C512LA-12 | ONSEMI |
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IC 64K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32, Programmable | |
CAT28C512LA-12 | CATALYST |
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EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 | |
CAT28C512LA-12 | ROCHESTER |
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64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 | |
CAT28C512LA-12T | CATALYST |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C512LA15 | ONSEMI |
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512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |