Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C257PA-12T

CAT28C257PA-12T

更新时间： 2024-10-27 05:08:39

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CATALYST		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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CAT28C257PA-12T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.12	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.695 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

CAT28C257PA-12T 数据手册

CAT28C257

256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Automatic page write operation:

–1 to 128 Bytes in 5ms

–Page load timer

■ Fast read access times: 120/150 ns

■ Low power CMOS dissipation:

–Active: 25 mA max.

■ End of write detection:

–Toggle bit

–Standby: 150 µA max.

■ Simple write operation:

–DATA polling

–On-chip address and data latches

–Self-timed write cycle with auto-clear

■ Hardware and software write protection

■ 100,000 Program/erase cycles

■ 100 Year data retention

■ Fast write cycle time:

–5ms max

■ CMOS and TTL compatible I/O

■ Commercial, industrial and automotive

temperature ranges

DESCRIPTION

The CAT28C257 is a fast, low power, 5V-only CMOS

Parallel EEPROM organized as 32K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

addressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-

clear and V_CCpower up/down write protection eliminate

additional timing and protection hardware. DATA Polling

and Toggle status bits signal the start and end of the self-

timed write cycle. Additionally, the CAT28C257 features

hardware and software write protection.

The CAT28C257 is manufactured using Catalyst’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 28-pin DIP or 32-pin PLCC packages.

BLOCK DIAGRAM

32,768 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

A –A

& LATCHES

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

128 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TIMER

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. 1015, Rev. D

12 3 4 5 6 7...12

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