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CAT28C257L-15T PDF预览

CAT28C257L-15T

更新时间： 2024-10-27 03:03:19
品牌 Logo 应用领域
CATALYST 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 523K
描述
256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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CAT28C257L-15T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：DIP,
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.12最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e3
长度：36.695 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

CAT28C257L-15T 数据手册

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E
CAT28C257  
256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM  
TM  
FEATURES  
■ Automatic page write operation:  
–1 to 128 Bytes in 5ms  
–Page load timer  
■ Fast read access times: 120/150 ns  
■ Low power CMOS dissipation:  
–Active: 25 mA max.  
■ End of write detection:  
–Toggle bit  
–Standby: 150 µA max.  
■ Simple write operation:  
–DATA polling  
–On-chip address and data latches  
–Self-timed write cycle with auto-clear  
■ Hardware and software write protection  
■ 100,000 Program/erase cycles  
■ 100 Year data retention  
■ Fast write cycle time:  
–5ms max  
■ CMOS and TTL compatible I/O  
■ Commercial, industrial and automotive  
temperature ranges  
DESCRIPTION  
The CAT28C257 is a fast, low power, 5V-only CMOS  
Parallel EEPROM organized as 32K x 8-bits. It requires a  
simple interface for in-system programming. On-chip  
addressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-  
clear and VCC power up/down write protection eliminate  
additional timing and protection hardware. DATA Polling  
and Toggle status bits signal the start and end of the self-  
timed write cycle. Additionally, the CAT28C257 features  
hardware and software write protection.  
The CAT28C257 is manufactured using Catalyst’s  
advanced CMOS floating gate technology. It is designed  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retention of 100 years. The device is available in JEDEC  
approved 28-pin DIP or 32-pin PLCC packages.  
BLOCK DIAGRAM  
32,768 x 8  
EEPROM  
ARRAY  
ROW  
DECODER  
ADDR. BUFFER  
A –A  
7
14  
& LATCHES  
INADVERTENT  
WRITE  
PROTECTION  
HIGH VOLTAGE  
GENERATOR  
128 BYTE PAGE  
REGISTER  
V
CC  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
LOGIC  
I/O BUFFERS  
DATA POLLING  
AND  
TIMER  
TOGGLE BIT  
I/O –I/O  
0
7
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
COLUMN  
DECODER  
0
6
© 2004 by Catalyst Semiconductor, Inc.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. 1015, Rev. D  
1
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C257LA-12 ONSEMI

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
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