是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.1 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C256NI-25TE13 | ONSEMI |
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32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256NI-25TE7 | CATALYST |
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EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256NI-30 | ETC |
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x8 EEPROM | |
CAT28C256NIA-12T | ONSEMI |
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256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256NIA-15T | ONSEMI |
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256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256P12 | ONSEMI |
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32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C256P-12 | ONSEMI |
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IC 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
CAT28C256P-12 | ROCHESTER |
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32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C256P-12T | CATALYST |
获取价格 |
256K-Bit Parallel EEPROM | |
CAT28C256P-12T | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM |