Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C256HNA-12T

CAT28C256HNA-12T

更新时间： 2024-11-26 03:42:23

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CATALYST		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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32K-Bit Parallel E2PROM

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CAT28C256HNA-12T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	100000 PROGRAM/ERASE CYCLES	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

CAT28C256HNA-12T 数据手册

CAT28C256

32K-Bit Parallel E²PROM

FEATURES

■ Hardware and Software Write Protection

■ Fast Read Access Times: 120/150ns

■ Automatic Page Write Operation:

–1 to 64 Bytes in 5ms

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 25 mA Max.

–Page Load Timer

–Standby: 150 µA Max.

■ End of Write Detection:

–Toggle Bit

■ Simple Write Operation:

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

–DATA Polling

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 100 Year Data Retention

■ Fast Write Cycle Time:

–5ms Max

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Commerical, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C256 is a fast, low power, 5V-only CMOS

parallel E²PROM organized as 32K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

addressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-

clear and V_CCpower up/down write protection eliminate

additional timing and protection hardware. DATA Polling

and Toggle status bits signal the start and end of the self-

timed write cycle. Additionally, the CAT28C256 features

hardware and software write protection.

The CAT28C256 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP or 32-pin PLCC

packages.

BLOCK DIAGRAM

32,768 x 8

E²PROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

A –A

& LATCHES

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

64 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TIMER

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

5096 FHD F02

Doc. No. 25020-0A 2/98

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...10

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CAT28C256HNI-12T	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HNI-12T	CATALYST	获取价格	32K-Bit Parallel E2PROM
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CAT28C256HNI-15T	CATALYST	获取价格	32K-Bit Parallel E2PROM
CAT28C256HNI-15TE13	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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