Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C256HN-15T

CAT28C256HN-15T

更新时间： 2024-10-27 05:08:39

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CATALYST		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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32K-Bit Parallel E2PROM

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CAT28C256HN-15T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ,
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.04	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	100000 PROGRAM/ERASE CYCLES	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

CAT28C256HN-15T 数据手册

CAT28C256

32K-Bit Parallel E²PROM

FEATURES

■ Hardware and Software Write Protection

■ Fast Read Access Times: 120/150ns

■ Automatic Page Write Operation:

–1 to 64 Bytes in 5ms

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 25 mA Max.

–Page Load Timer

–Standby: 150 µA Max.

■ End of Write Detection:

–Toggle Bit

■ Simple Write Operation:

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

–DATA Polling

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 100 Year Data Retention

■ Fast Write Cycle Time:

–5ms Max

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Commerical, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C256 is a fast, low power, 5V-only CMOS

parallel E²PROM organized as 32K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

addressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-

clear and V_CCpower up/down write protection eliminate

additional timing and protection hardware. DATA Polling

and Toggle status bits signal the start and end of the self-

timed write cycle. Additionally, the CAT28C256 features

hardware and software write protection.

The CAT28C256 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP or 32-pin PLCC

packages.

BLOCK DIAGRAM

32,768 x 8

E²PROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

A –A

& LATCHES

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

64 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TIMER

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

5096 FHD F02

Doc. No. 25020-0A 2/98

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...10

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与CAT28C256HN-15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28C256HN-15TE13	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HN-15TE7	CATALYST	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HN-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
CAT28C256HN-20TE13	ONSEMI	获取价格	IC 32K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
CAT28C256HN-20TE7	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HN-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
CAT28C256HN-25TE13	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HN-25TE13	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HN-25TE7	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256HNA-12	ETC	获取价格	x8 EEPROM

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