Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C256H13A-12T

CAT28C256H13A-12T

更新时间： 2024-11-26 11:54:11

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安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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256 kb Parallel EEPROM

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CAT28C256H13A-12T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

CAT28C256H13A-12T 数据手册

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CAT28C256

256 kb Parallel EEPROM

Description

The CAT28C256 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel

EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for

in−system programming. On−chip address and data latches,

self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write

http://onsemi.com

protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA

Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed

write cycle. Additionally, the CAT28C256 features hardware and

software write protection.

The CAT28C256 is manufactured using ON Semiconductor’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure

100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.

The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP, 28−pin TSOP

or 32−pin PLCC packages.

TSOP−28

T13, H13 SUFFIX

CASE 318AE

Features

• Fast Read Access Times: 120/150 ns

• Low Power CMOS Dissipation:

– Active: 25 mA Max.

– Standby: 150 mA Max.

PDIP−28

P, L SUFFIX

CASE 646AE

PLCC−32

N, G SUFFIX

CASE 776AK

• Simple Write Operation:

– On−chip Address and Data Latches

– Self−timed Write Cycle with Auto−clear

• Fast Write Cycle Time:

PIN FUNCTION

− 5 ms Max.

Pin Name

Function

Address Inputs

• CMOS and TTL Compatible I/O

• Hardware and Software Write Protection

• Automatic Page Write Operation:

− 1 to 64 Bytes in 5 ms

− Page Load Timer

A −A

I/O −I/O

Data Inputs/Outputs

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

5 V Supply

• End of Write Detection:

− Toggle Bit

− DATA Polling

Ground

• 100,000 Program/Erase Cycles

• 100 Year Data Retention

• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges

No Connect

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 14 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

December, 2009 − Rev. 6

CAT28C256/D

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CAT28C256H13A-15T	CATALYST	获取价格	256K-Bit Parallel EEPROM
CAT28C256H13I12	ROCHESTER	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28
CAT28C256H13I-12	CATALYST	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28
CAT28C256H13I-12	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28
CAT28C256H13I-12	ROCHESTER	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28
CAT28C256H13I12T	ONSEMI	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP-28
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