Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C17ANA-20T

CAT28C17ANA-20T

更新时间： 2024-10-26 05:08:39

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CATALYST		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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16K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM

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CAT28C17ANA-20T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	NO
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

CAT28C17ANA-20T 数据手册

CAT28C17A

16K-Bit CMOS PARALLEL E²PROM

FEATURES

■ Fast Read Access Times: 200 ns

■ End of Write Detection:

–DATA Polling

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 25 mA Max.

–RDY/BSY Pin

–Standby: 100 µA Max.

■ Hardware Write Protection

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ 10,000 Program/Erase Cycles

■ 10 Year Data Retention

■ Simple Write Operation:

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

■ Fast Write Cycle Time: 10ms Max

■ Commercial,Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C17A is a fast, low power, 5V-only CMOS

parallel E²PROM organized as 2K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and a RDY/BSY pin signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C17A features hardware write protection.

The CAT28C17A is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesignedto

endure 10,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 28-pin DIP and SOIC or 32-pin PLCC pack-

ages.

BLOCK DIAGRAM

2,048 x 8

E²PROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

A –A

& LATCHES

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

I/O –I/O

DATA POLLING

& RDY/BUSY

TIMER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

RDY/BUSY

5091 FHD F02

Doc. No. 25034-00 2/98

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7 8

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CAT28C17ANI-20T	CATALYST	获取价格	16K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
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CAT28C17ANI-20TE13	CATALYST	获取价格	IC 2K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
CAT28C17ANI-20TE7	CATALYST	获取价格	EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C17AP-20	ETC	获取价格	x8 EEPROM
CAT28C17AP-20T	ONSEMI	获取价格	16 kb CMOS Parallel EEPROM
CAT28C17AP-20T	CATALYST	获取价格	16K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
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