是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT25C64SA-G | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
CAT25C64SA-GT3 | ONSEMI |
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CAT25C64SA-GT3 | |
CAT25C64SA-GT3 | CATALYST |
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64K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C64SATE13 | ETC |
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SPI Serial EEPROM | |
CAT25C64SA-TE13 | CATALYST |
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64K/128K-Bit SPI Serial CMOS E2PROM | |
CAT25C64SA-TE13 | ONSEMI |
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CAT25C64SA-TE13 | |
CAT25C64SE | ONSEMI |
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CAT25C64SE | |
CAT25C64SE-1.8-GT3 | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C64SE-1.8TE13 | ONSEMI |
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CAT25C64SE-1.8TE13 | |
CAT25C64SE-GT3 | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit SPI Serial CMOS EEPROM |