是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
最大时钟频率 (fCLK): | 5 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 4.4 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 串行总线类型: | SPI |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT25C03UI-TE13 | CATALYST |
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1K/2K/4K/8K/16K SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C03U-TE13 | CATALYST |
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1K/2K/4K/8K/16K SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C03V | ETC |
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EEPROM | |
CAT25C03V-1.8 | ETC |
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EEPROM | |
CAT25C03V-1.8-GTE13 | YAGEO |
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General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT | |
CAT25C03V-1.8TE13 | CATALYST |
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1K/2K/4K/8K/16K SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAT25C03VA | ETC |
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EEPROM | |
CAT25C03VA-1.8 | ETC |
获取价格 |
EEPROM | |
CAT25C03VA-1.8-G | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT | |
CAT25C03VA-1.8TE13 | CATALYST |
获取价格 |
1K/2K/4K/8K/16K SPI Serial CMOS EEPROM |