2N5434

更新时间： 2024-02-22 05:34:33

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CALOGIC		晶体开关小信号场效应晶体管
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2页	26K
描述
N-Channel JFET Switch

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2N5434 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AC
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5434 数据手册

N-Channel JFET Switch

CORPORATION

2N5434

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise noted)

Low r_ds(on)

Excellent Switching

Low Cutoff Current

•

Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V

Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3mW/^oC

•

PIN CONFIGURATION

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

(TO-52)

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

G, C

-55^oC to +150^oC

2N5434

X2N5434

Hermetic TO-52

Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

5018

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC unless otherwise specified)

2N5434

SYMBOL

PARAMETER

Gate Reverse Current

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

-200

_GS= -15V, V_DS= 0

T_A= 150^oC

I_G= -1µA, V_DS= 0

_DS= 5V, V_GS= -10V

T_A= 150^oC

I_GSS

BV_GSS

I_D(off)

Gate-Source Breakdown Voltage

Drain Cutoff Current

-25

200

-4

V_GS(off)

I_DSS

r_DS(on)

V_DS(on)

r_ds(on)

C_iss

C_rss

t_d

Gate-Source Cutoff Voltage

-1

V_DS= 5V, I_D= 3nA

V_DS= 15V, V_GS= 0

Saturation Drain Current (Note 1)

Static Drain-Source ON Resistance

Drain-Source ON Voltage

ohm

100

V_GS= 0, I_D= 10mA

Drain-Source ON Resistance

Common-Source Input Capacitance (Note2)

Common-Source Reverse Transfer Capacitance (Note 2)

Turn-ON Delay Time (Note 2)

Rise Time (Note 2)

V_GS= 0, I_D= 0 f = 1kHz

_DS= 0,

f = 1MHz

_GS= -10 V

_DD= 1.5V,

_GS(on) = 0,

_GS(off)= -12V,

_D(on)= 10mA

t_r

t_off

Turn-OFF Delay Time (Note 2)

Fall Time (Note 2)

t_f

NOTES: 1. Pulse test required, pulsewidth 300µs, duty cycle ≤3%.

2. For design reference only, not 100% tested.

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