C35G

更新时间： 2024-02-11 11:44:56

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描述
35A AUTOMOTIVE RECTIFIER CELL

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C35G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, C35, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XXSS-X2	JESD-609代码：	e4
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	35 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	SPECIAL SHAPE
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子面层：	SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED

C35G 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

C35A – C35M

35A AUTOMOTIVE RECTIFIER CELL

Features

Diffused Junction

Low Leakage

Low Cost

High Surge Current Capability

Die Size 184 mil HEX

Mechanical Data

Case: Protected with Silicon Rubber

Terminal: Slug, Cu with Ag Plated

Polarity: Indicated by Large Slug

On Cathode Side

C35

Dim

Min

—

Max

6.19

5.46

—

Mounting Position: Any

0.75

1.0

—

2.2

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

C35A C35B C35D C35G C35J C35K C35M

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

Average Rectified Output Current

@T_C= 150°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

FSM

400

Forward Voltage

@I_F= 80A

V^FM

I^RM

1.08

3.0

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

µA

@T_A= 25°C

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

K/W

°C

T^J, T^STG

-40 to +150

*Glass passivated forms are available upon request

C35A – C35M

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