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C3198

更新时间： 2022-06-02 20:43:58

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KISEMICONDUCTOR		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	85K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C3198 数据手册

NPN SILICON TRANSISTOR

C3198

K I SEMICONDUCTOR.

█ APPLICATIONS

General Purpose And Switching Applications.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T

_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………400mW

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

V

V

V

_CBO——Collector-Base Voltage………………………………60V

_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………50V

_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current………………………………………150mA

Ib——Base Current………………………………………………50mA

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

V_CB=60V, I_E=0

100

100

700

nA

nA

V_EB=5V, I_C=0

HFE(1)

HFE(2)

V_CE=6V, I_C=2mA

V_CE=6V, I_C=150mA

I_C=100mA, I_B=10mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

70

25

DC Current Gain

100

0.1

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage

0.25

1.0

V

V

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

fT

80

MHz

Cob

2.0

1.0

3.5

10

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

V_CE=6V, I_C=100μA

dB

NF

Noise Figure

f=1KHz,Rg=10KΩ

█ hFE Classification

O

Y

GR

BL

70—140

120—240

200—400

350—700

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
C3198Y	ETC	TO-92 Plastic Package Transistors (NPN)	获取价格
C31-B0-26-630-32A-E	Carling Technologies	MAGNETIC CIRCUIT BREAKER,	获取价格
C31-B0-26-650-32A-E	Carling Technologies	MAGNETIC CIRCUIT BREAKER,	获取价格
C31DRT	SILICON	INSULATOR MATERIAL: SEEPART NUMBER CODING	获取价格
C31DRX	SILICON	BOARD INSERTION FORCE: 16 OZ MAX PER CONTACT PAIR WHEN USING A .062 TEST BLADE	获取价格
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