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C270AG-00

更新时间： 2024-09-19 09:47:47

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	246K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C270AG-00 数据手册

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R

BU406 晶体管芯片明

█ 管芯示意

汕汕子器件有限公司

█ 芯片介

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代：C270AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：2700×2700µm ²

位尺寸：B 极550×900µm ²；E 极550×1100µm ²

极金属：

背面金属：

典型封装：BU406，BU406H

█ 极限（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

T_stg— — 存温度⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — 温⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — 集极功率耗散（T_c=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 60W

V_CBO— — 集极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 400V

V_CEO— — 集极— 射极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 200V

V_EBO— — 射极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 6V

I_C— — 集极流（DC）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 7A

I_CP— — 集极流（脉冲）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 10A

I_B— — 基极流⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 4A

█ 参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号

符号

明

最小典型最大

位

条件

I_C=10mA，I_B=0

BV_CEO

I_CES

集极— 射极穿

集极— 射极截止流

射极— 基极截止流

直流流增益

200

mA V_CE=400V，V_BE=0

mA V_EB=6V，I_C=0

V_CE=1V，I_C=1A

I_EBO

h_FE

V_CE=1V，I_C=5A

V_CE=5V，I_C=2A

V_CE=5V，I_C=5A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

集极— 射极和

基极— 射极和

I_C=5A，I_B=0.5A

I_C=5A，I_B=0.8A

I_C=5A，I_B=0.5A

I_C=5A，I_B=0.8A

1.2

0.75

f_T

特征率

下降

MHz V_CE=10V，I_C=0.5A

? s I_C=5A，I_B=0.5A

t_OFF

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