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C2611

更新时间： 2024-09-19 12:53:51
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2页 316K
描述
Collector-emitter Voltage: V(BR)CEO=400V, Collector Current: IC=0.2A

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C2611 数据手册

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TransistIoCr  
Transistors  
Product specification  
C2611  
SOT-89  
Unit: mm  
+0.1  
+0.1  
4.50-0.1  
1.50-0.1  
■ Features  
+0.1  
1.80-0.1  
●
Collector-emitter Voltage: V(BR)CEO=400V  
●
Collector Current: IC=0.2A  
1
2
3
0.53-0.1  
+0.1  
+0.1  
+0.1  
0.48-0.1  
0.44-0.1  
1. Base  
+0.1  
3.00-0.1  
2. Collector  
3. Emiitter  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
600  
400  
7
V
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
0.2  
0.5  
150  
A
PC  
W
℃
℃
Junction Temperature  
Tj  
Storage Temperature  
Tstg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
600  
400  
7
Typ Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base Breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
V(BR)CBO IC = 100μA , IE = 0  
V(BR)CEO IC = 1mA , IB = 0  
V(BR)EBO IE = 100μA , IC = 0  
V
V
ICBO  
IEBO  
VCB = 600V , IE = 0  
VEB=7V,IC=0  
100  
100  
40  
μA  
μA  
VCE = 20V , IC = 20mA  
VCE = 10V , IC = 0.25mA  
10  
5
DC current gain  
hFE  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Fall time  
VCE(sat) IC= 50mA, IB= 10 mA  
VBE(sat) IC= 50mA, IB= 10 mA  
0.5  
1.2  
0.3  
1.5  
V
V
tf  
ts  
fT  
IB1=-IB2=5mA, IC=50mA, VCC=45V  
IB1=-IB2=5mA, IC=50mA, VCC=45V  
VCE = 20 V , IC = 20 mA , f = 1 MHz  
μs  
Storage time  
μs  
Transition frequency  
8
MHz  
■ hFE Classification  
Rank  
hFE  
10～15 15～20 20～25 25～30 30～35 35～40  
http://www.twtysemi.com  
1 of 2  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
12

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