C1815LT1

更新时间： 2024-02-12 19:14:14

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WEITRON		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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描述
TRANSISTOR (NPN)

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C1815LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

C1815LT1 数据手册

C1815LT1

C1815LT1 TRANSISTOR (NPN)

* “G” Lead(Pb)-Free

FEATURES

SOT-23

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

0.2

W (Tamb=25 )

2. 4

1. 3

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

0.15

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55 to +150

Unit: mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA, I_E=0

Ic = 0.1mA, I_B=0

V_CB=60V, I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

0.1

400

µA

I_CEO

V_CE=50V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE= 6V, I_C= 2mA

I_C=100 mA, I_B= 10mA

130

DC current gain

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

0.25

V_CE=10V, I_C= 1mA

f=30MHz

MHz

Transition frequency

f_T

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

130-200

200- 400

DEVICE MARKING

C1815LT1=HF

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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C1815LT1L	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
C1815LT1-SOT-23	CJ	获取价格	TRANSISTOR（ NPN ）
C1815LT1-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
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