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C122B1-BG

更新时间： 2024-11-05 12:58:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
8A, 200V, SCR, TO-220AB

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C122B1-BG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.74
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：50 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：200 V重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

C122B1-BG 数据手册

 浏览型号C122B1-BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C122B1-BG的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as motor controls,  
heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled,  
solid-state devices are needed.  
SCRs  
8 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
•
Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter  
Uniformity and Stability  
•
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
•
•
Blocking Voltage to 800 Volts  
Different Leadform Configurations,  
Suffix (2) thru (6) available, see Leadform Options (Section 4) for Information  
G
A
K
CASE 221A-04  
(TO-220AB)  
STYLE 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Repetitive Peak Off-State Voltage (T = 25 to 100°C, Gate Open)  
V
DRM  
V
RRM  
Volts  
J
Repetitive Peak Reverse Voltage  
C122F1  
C122A1  
C122B1  
C122D1  
C122M1  
C122N1  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
(1)  
Peak Non-repetitive Reverse Voltage  
V
RSM  
Volts  
C122F1  
C122A1  
C122B1  
C122D1  
C122M1  
C122N1  
75  
200  
300  
500  
700  
800  
Forward Current RMS  
(All Conduction Angles)  
T
C
75°C  
I
8
Amps  
Amps  
T(RMS)  
Peak Forward Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz)  
I
90  
34  
TSM  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing Considerations  
(t = 8.3 ms)  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; however, (cont.)  
RRM  
DRM  
positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a  
constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
36  
Motorola Thyristor Device Data  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
C122B1-BL MOTOROLA

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