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C10B

更新时间: 2024-01-31 09:06:41
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DIGITRON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),4.7A I(T),TO-208AB

C10B 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.08
标称电路换相断开时间:40 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:20 V/us最大直流栅极触发电流:15 mA
最大直流栅极触发电压:1.35 V最大维持电流:25 mA
JEDEC-95代码:TO-64JESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:60 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:4700 A最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:7.4 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

C10B 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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