是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.77 |
JESD-609代码: | e0 | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
端子面层: | TIN LEAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
C106MG | LITTELFUSE |
类似代替 ![]() |
灵敏栅极硅控整流器是一款玻璃化PNPN设备,专为高容量消费应用设计,例如温度;光和速度控制 |
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NTE5454 | NTE |
类似代替 ![]() |
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate |
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TS420-600B-TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
4A SCRs |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
C106M-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 600V, SCR, TO-225AA |
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C106M-11 | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 600V, SCR, TO-225AA |
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C106M-12 | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 600V, SCR, TO-225AA |
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C106M1G | ONSEMI |
获取价格 |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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C106M1G | LITTELFUSE |
获取价格 |
灵敏栅极硅控整流器是一款玻璃化PNPN设备,专为高容量消费应用设计,例如温度;光和速度控制 |
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C106M1LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, TO- |
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C106M1TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, |
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C106M2 | CENTRAL |
获取价格 |
SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS |
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C106M2 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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C106M-2 | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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