C106D

更新时间： 2024-01-30 22:19:26

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CENTRAL		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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描述
4.0A SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 200 THRU 600 VOLTS

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C106D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	40 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	JEDEC-95代码：	TO-202
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	30 V
重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

C106D 数据手册

C106B

C106D

Central

C106M

Semiconductor Corp.

4.0A SENSITIVE GATE

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

200 THRU 600 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106B

Series are 4.0A, PNPN sensitive gate triggering

silicon controlled rectifiers with voltages ranging

from 200V to 600V. These devices are designed

for applications such as temperature, light and

speed control, remote warning and triggering

applications.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

TO-126 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

C106B C106D C106M

UNITS

A²s

Peak Repetitive Off-State Voltage

RMS On-State Current (T =80°C)

200

400

600

DRM, RRM

4.0

1.65

T(RMS)

TSM

Peak Non-Repetitive Surge Current (T =110°C)

I²t Value for Fusing (t=8.3ms)

I²t

Peak Gate Power (T =80°C)

0.5

0.1

0.2

°C

°C/W

G(AV)

GFM

Average Gate Power (T =80°C)

Peak Forward Gate Current (T =80°C)

Storage Temperature

Junction Temperature

Thermal Resistance

-40 to +150

-40 to +110

3.0

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

µA

V/µs

Rated V

=1KΩ

=1KΩ, T =110°C

DRM, RRM

DRM, RRM, GK

100

2.2

200

500

0.8

1.0

3.0

6.0

2.0

5.0

7.0

DRM, RRM

DRM, RRM, GK

=4.0A

=6.0V, R =100Ω

=6.0V, R =100Ω, T = -40°C

=6.0V, R =100Ω

0.4

0.5

=6.0V, R =100Ω, T = -40°C

V =12V

V =12V, T = -40°C

V =12V, T =110°C

V =12V

V =12V, T = -40°C

dv/dt

V = Rated V

, R =1KΩ, T =110°C

DRM GK

8.0

R0 (27-April 2004)

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