C106A-VL

更新时间： 2024-09-21 12:58:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		可控硅
页数	文件大小	规格书
4页	102K
描述
4A, 100V, SCR, TO-225AA

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C106A-VL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	40 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	100 V
重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

C106A-VL 数据手册

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by C106/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

*Motorola preferred devices

. . . Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such

as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning

systems where reliability of operation is important.

SCRs

4 AMPERES RMS

50 thru 600 VOLTS

•

Glassivated Surface for Reliability and Uniformity

Power Rated at Economical Prices

Practical Level Triggering and Holding Characteristics

Flat, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

CASE 77-08

(TO-225AA)

STYLE 2

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

Volts

DRM

(R = 1 kΩ)

C106F

C106A

C106B

C106D

C106M

(T = –40° to 110°C)

RRM

100

200

400

600

RMS Forward Current

(All Conduction Angles)

Amps

T(RMS)

Average Forward Current

(T = 30°C)

2.55

T(AV)

Peak Non-repetitive Surge Current

TSM

(1/2 Cycle, 60 Hz, T = –40 to +110°C)

Circuit Fusing (t = 8.3 ms)

Peak Gate Power

I t

1.65

0.5

0.1

0.2

A s

Watt

Amp

Average Gate Power

G(AV)

Peak Forward Gate Current

GFM

1. V

and V

for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; however, (cont.)

RRM

DRM

positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a

constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

12 3 4

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与C106A-VL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
C106AX151	NJSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTORS
C106B	CENTRAL	获取价格	4.0A SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 200 THRU 600 VOLTS
C106B	NJSEMI	获取价格	Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
C106B	DIGITRON	获取价格	暂无描述
C106B	POWEREX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM)
C106B	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
C106B	MOTOROLA	获取价格	SCRs 4 AMPERES RMS 50 thru 600 VOLTS
C106B	GE	获取价格	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers
C106B	FREESCALE	获取价格	SCRs 4 AMPERES RMS 50 thru 600 VOLTS
C106B1	CENTRAL	获取价格	SCRs

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