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C105AJ-00

更新时间: 2022-12-14 23:58:11
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华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

C105AJ-00 数据手册

  
N P N S I L I C O N  
T R A N S I S T O R  
汕头华汕电子器件有限公司  
882 晶体管芯片说明书  
█ 芯片简介  
█ 芯片图  
芯片尺寸:4 英寸(100mm)  
芯片代码:C105AJ-00  
芯片厚度:240±20µm  
管芯尺寸:1050×1050µm 2  
焊位尺寸:B 230×230µm 2E 170×170µm 2  
电极金属:铝  
背面金属:金  
典型封装:2SD882HS882H882  
█ 极限值Ta=25TO-126TO-126ML)  
Tstg——贮存温度  
- 55~150℃  
Tj——结温  
150℃  
10W  
1W  
PC——集电极功率耗Tc=25℃)  
PC——集电极功率耗散(TA=25℃)  
V
V
V
CBO——集电极—基极电压  
CEO——集电极—发射极电压  
EBO——发射极—基极电压  
40V  
30V  
5V  
IC——集电极电流  
IB——基极电流  
3A  
0.6A  
█ 电参数Ta=25TO-126TO-126ML)  
参数符号  
符 号 说 明  
最小值 典型值 最大值 单 位  
测 试 条 件  
ICBO  
集电极基极截止电流  
发射极基极截止电流  
直流电流增益  
1
1
µA  
µA  
VCB=30VIE=0  
VEB=5VIC=0  
VCE=2VIC=1A  
IC=2AIB=0.2A  
IC=2AIB=0.2A  
VCB=10VIE=0,  
f=1MHz  
IEBO  
hFE  
60  
400  
0.5  
2
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Cob  
集电极发射极饱和压降  
基极发射极饱和压降  
输出电容  
0.3  
1.0  
45  
V
V
pF  
fT  
特征频率  
90  
MHz VCE=5VIE=0.1A  

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