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C100AJ-00

更新时间： 2022-12-17 01:30:39

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	27K
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NPN SILICON TRANSISTOR

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C100AJ-00 数据手册

N P N S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

882 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C100AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1000×1000µm ²

焊位尺寸：B 极 215×215µm ²；E 极 210×210µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SD882，HS882，H882

█ 极限值（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

T_j——结温

150℃

10W

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）

P_C——集电极功率耗散（T_A=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

40V

30V

I_C——集电极电流

I_B——基极电流

0.6A

█ 电参数（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_CBO

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

µA

V_CB=30V，I_E=0

V_EB=5V，I_C=0

V_CE=2V，I_C=1A

I_C=2A，I_B=0.2A

V_CB=10V，I_E=0，

f=1MHz

I_EBO

h_FE

400

0.5

V_CE(sat)

V_BE(sat)

C_ob

集电极—发射极饱和压降

基极—发射极饱和压降

输出电容

0.3

1.0

f_T

特征频率

MHz V_CE=5V，I_E=0.1A

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