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C1008

更新时间： 2022-06-02 20:41:52
品牌 Logo 应用领域
KISEMICONDUCTOR 晶体晶体管
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2页 149K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C1008 数据手册

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NPN SILICON TRANSISTO  
C1008  
K I SEMICONDUCTOR  
█ LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM  
SPEED SWITCHING  
TO-92  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
T
stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃  
PC——Collector Dissipation…………………………………800mW  
1―Emitter，E  
2―Base，B  
V
V
V
CBO——Collector-Base Voltage………………………………80V  
CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………60V  
EBO——Emitter-Base Voltage………………………………8V  
3―Collector，C  
IC——Collector Current……………………………………700mA  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Collector Cut-off Current  
Min  
Typ  
Max Unit  
Test Conditions  
ICBO  
IEBO  
VCB=60V, IE=0  
100 nA  
100 nA  
400  
Emitter Cut-off Current  
VEB=5V, IC=0  
HFE(1)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
fT  
DC Current Gain  
VCE=2V, IC=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=100μA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10μA，IC=0  
VCE=10V, IC=50mA  
40  
Collector- Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.2 0.4 V  
0.86 1.1 V  
80  
60  
8
V
V
V
30 50  
8
MHz  
Cob  
pF VCB=10V, IE=0，f=1MHz  
█ hFE Classification  
R
O
Y
GR  
40—80  
70—140  
120—240  
240—400  
12

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